射频器件频率特性测试SMU源表
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射频器件频率特性测试SMU源表
GaNHEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。
频率特性测试
射频器件的频率参数测试包含小信号S参数、互调(IMD)、噪声系数和杂散等特性的测量。其中,S参数测试描述了RF器件在不同频率下和对于信号的不同功率水平的基本特性,量化了RF能量是如何通过系统传播。
S参数也就是散射参数。S参数是一种描述元器件在表现为射频特性的高频信号激励下的电气行为的工具,它描述的方法是以元器件对入射信号作出反应(即“散射”)后,从元器件外部“散射”出的可测量的物理量来实现的,测量到的物理量的大小反应出不同特性的元器件会对相同的输入信号“散射”的程度不一样。
使用小信号S参数,我们可以确定基本RF特性,包括电压驻波比(VSWR)、回报损耗、插入损耗或给定频率的增益。小信号S参数通常均利用连续波(CW)激励信号并应用窄带响应检测来测量。射频器件频率特性测试SMU源表找生产厂家武汉普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；
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