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晶闸管的发展历史及制约因素
半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为代表的微电子器件，特点为小功率、集成化，作为信息的检出、传送和处理的工具；而另一类就是电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年，美国通用电气公司研发了世界上个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器（SR），1957年又开发了全球用于功率转换和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它们具有体积小、重量轻、效率高、寿命长的优势，尤其是SCR能以微小的电流控制较大的功率，令半导体电力电子器件成功从弱电控制领域进入了强电控制领域、大功率控制领域。在整流器的应用上，晶闸管迅速取代了整流器（引燃管），实现整流器的固体化、静止化和无触点化，并获得巨大的节能效果。从1960年始，由普通晶闸管相继出了快速晶闸管、光控晶闸管、不对称晶闸管及双向晶闸管等各种特性的晶闸管，形成一个庞大的晶闸管家族。
但晶闸管本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶闸管属于半控型器件，通过门极（控制极）只能控制其开通而不能控制其关断，导通后控制极即不再起作用，要关断必须切断电源，即令流过晶闸管的正向电流小于维持电流。由于晶闸管的关断不可控的特性，必须另外配以由电感、电容及开关器件等组成的强迫换流电路，从而使装置体积，成本增加，而且系统更为复杂、可靠性降低。二是因为此类器件立足于分立元件结构，开通损耗大，工作频率难以提高，限制了其应用范围。1970年代末，随着可关断晶闸管（GTO）日趋成熟，成功克服了普通晶闸管的缺陷，标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件

KP晶闸管的特点如下：
1. 具有高电流承受能力：KP晶闸管能够承受较高的电流，通常可达几百安培。
2. 具有高电压承受能力：KP晶闸管能够承受较高的电压，通常可达几千伏。
3. 具有快速开关特性：KP晶闸管的开关速度较快，可以实现快速的开关操作。
4. 具有可控性：KP晶闸管可以通过控制极的电压或电流来控制其导通和截止状态。
5. 具有高温工作能力：KP晶闸管可以在高温环境下正常工作，通常可达几百摄氏度。
6. 具有较低的开启压降：KP晶闸管的开启压降较低，可以减小功率损耗。
7. 具有较高的可靠性：KP晶闸管的可靠性较高，寿命长，不易损坏。
总之，KP晶闸管具有高电流、高电压承受能力，快速开关特性，可控性强，适用于高温环境，并具有较低的开启压降和较高的可靠性。

平板可控硅
SEMIKRON赛米控平板可控硅
IR/Vishay平板可控硅
eupec/Iinfineon英飞凌平板可控硅
PROTON普拉动平板平板可控硅
PRX平板可控硅
WESTCODE西码平板可控硅
DYNEX丹尼克斯平板可控硅
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晶闸管特点“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
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可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。可控硅从外形类主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
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