TDKMKP高脉冲绕线电容,薄膜电容器B32656S8125K565

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薄膜电容器的滤波作用

薄膜电容器，也是一种音频电容，经常在各种音响、功放机、耳机、话筒等地方使用，这些电路中需要滤波电容，而使用聚酯膜的轴向薄膜电容可以使用在滤波电路中，因此备受音频生产厂家的好评。那么薄膜电容器在滤波电路中起到什么作用呢？我们来了解一下。

滤波就是过滤信号中的特定波段频率的操作，是抑制和防止干扰的有效手段。滤波电路就是允许一定频率范围的信号能够正常无损的通过，同时阻止另一频率范围的信号通过。利用这种滤波电路可以提取出有用的信号，这种电路最开始运用在通信领域。薄膜电容之所以可以运用于这种电路中，是因为它在滤波电路中可以消除电压中的脉动，吸收电压的波峰，消除电压的波谷。也就是上面所说的的：通过一定频率范围的信号，同时阻止一定频率范围的信号。

要注意的是，当薄膜电容器使用在滤波电路中时，我们应该注意到滤波电路中的纹波频率是多少HZ，纹波电流是多少mA，直流电压是多少V，交流电压又是多少V，以确保选择合适的薄膜电容运用到滤波电路中去。

哪些外在因素会影响到薄膜电容器的性能

影响薄膜电容器的常见原因

一、使用中出问题的原因
1.运行电压过高引起移相电容器过早淘汰，电容器的功率损耗和发热量都和运行电压的平方成正比，运行电压的升高，使电容器温度显著增加，另外在长期电场的作用下，会加速电容器绝缘的老化

2.操作过电压引起电容器的损坏，切断并联电容器组时，可能引起电感一电容回路的振荡过程。从而产生操作过电压，切断过程中，如果断路器发生电弧重燃，将引起强烈的电磁振荡，出现更高的过电压值。这一过电压的幅值，与被切电容和母线侧电容的大小有关，也与电弧重燃时触头间的电位差有关。

3.带电荷合闸引起电容器的爆破，任何额定电压的电容器组，均应禁止带电荷合闸。电容器组每次重新合闸，必须于开关断开电容器放电3min后进行。

二、运行温度过高造成移相电容器的损坏

1.环境温度过高，目前YY型及YL型移相电容器周围空气温度系按一25-40C设计。环境温度不超过40‘C的要求，在我国许多地区难以满足。因此，新型的低压无功补偿装置，其周围空气温度系按一30-55C设计。

2.户外式电容器日光直接照射，移相电容器露天装设于变电站或配电线路上时，由于日光直接照射下，由于超温运行原因。年损坏率很高，有的可达10%左右。尤以装于户外铁质配电箱中，散热不良，夏季损坏率特别高。另外在酷热天气突然下暴雨时，也会集中造成损坏。

3.通风散热不足

三、网络离次谐波的影响


1.使电容器组的运行电流和输出无功功率，大幅度地超过额定值。

2.当电源电压波形中某次谐波频率。接近于网络的自然频率时，可能产生谐波共振过电压


四、开关设备性能的影晌

电容器在被切除时，如果开关不重燃、开断时不会产生过电压。也不会产生过电流。提高开关投切电容电流的能力是减少事故和延长电容器使用寿命的一个重要方面。

影响薄膜电容器容量大小的原因

薄膜电容器的容量大小取决于薄膜金属层面积的大小，所以容量的下降主要就是金属镀层受外界因素影响，面积减少而产生的。在电容器制作过程中，膜层之间存在微量的空气，且较难完全消除。电容器工作时，空气在电场作用下，有可能被电离。空气电离后产生臭氧，臭氧是一种不稳定的气体，常温下自行分解为氧，是一种强氧化剂，低浓度下可瞬间完成氧化作用。金属化薄膜的金属镀层（成份为Zn/Al）遇到臭氧分解的氧后立即氧化，生成透明不导电的金属氧化物ZnO和Al2O3，实际表现为板面积减小，电容器容量下降。因此消除或减少膜层间的空气，可以减缓电容量衰减。当膜层间的空气被外界水份侵入时，空气的击穿电位会降低，加快空气电离，产生大量的臭氧，氧化金属化薄膜的金属镀层，电容器的容量会迅速下降。

TDK成功开发高Q特性的薄膜电容器

TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时 TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。

该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时实现了面向智能手机等高性能移动设备和高频模块产品的高特性与小型超薄化。尤其值得一提的是，凭借薄膜工法实现了优良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通过薄膜材料和最佳形状设计，与以往产品相比达到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高达6.8GHz(2.2pF)。通过这些特性，该本产品可在阻抗匹配电路中发挥优良的高频特性，因此命名为“Z-match”。