全武汉仪器/仪表信息
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半导体特性曲线测试仪IV曲线扫描仪
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%面议2025-02-27 -
大功率igbt模块测试设备功率器件静态参数测试仪
普赛斯大功率igbt模块测试设备功率器件静态参数测试仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率面议2025-02-27 -
LIV光电特性测试脉冲恒流源
LIV光电特性测试脉冲恒流源认准普赛斯仪表，厂家直销，服务完善，详询一八一四零六六三四七六；PL系列脉冲电流源是针对大功率激光器LIV测试而研制的，触摸显示屏全图形化操作，高灵敏度宽带光功率检测，内置LIV测试软件加速用户完成测试，具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流面议2025-02-27 -
霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备
产品简介 霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备集多种测量和分析功能一体，可精准测量各种电流传感器（霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等）的静态与动态参数，单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数，具有大电流特性、极快面议2025-02-27 -
半导体参数测试仪CV+IV曲线扫描仪
SPA-6100半导体参数测试仪CV+IV曲线扫描仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研面议2025-02-27 -
半导体参数CV测试仪
半导体参数CV测试仪优势 频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调； 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%； 内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能; 兼容IV测试：同时面议2025-02-27 -
功率器件CV测试系统+CV测试仪
系统方案 普赛斯功率器件CV测试系统+CV测试仪主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一面议2025-02-27 -
半导体特性测试仪IV曲线扫描仪
半导体特性测试仪IV曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案；详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用面议2025-02-27 -
宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪
宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可达0.03%精度； 内置标准器件测试程序，直接调用测试简便； 自动实时参数提取，数据绘图、分析函数； 在CV和IV测量之间快速切换而无需重面议2025-02-27 -
半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪
SPA-6100半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料面议2025-02-27 -
MEMS气体传感器测试系统
通常，气体传感器 I-V 特性测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而，由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且，使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更面议2025-02-27 -
汽车电流传感器标定测试设备
汽车电流传感器标定测试设备简介 电流传感器测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量各种电流传感器（霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等）的静态与动态参数，单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数，具有大电流特性、极面议2025-02-27 -
大电流脉冲源表
P系列功率mos管I-V电性能测试大电流脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表面议2025-02-27 -
高精度源表IV测试忆阻器直流特性
忆阻器基础性能研究测试 忆阻器件的评估,一般包括直流特性、脉冲特性与交流特性测试,分析器件在相应的直流、脉冲与交流作用下的忆阻特性,以及针对忆阻器件的保持力、稳定性等非电学特性进行测量。 直流l-V特性测试 不同极性、不同大小的电压(电流)激励会面议2025-02-27 -
数字源表助力工程师提取半导体器件IV电性能参数
半导体分立器件是组成集成电路的基础，包含大量的双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等。 直流 I-V 测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V 曲线，来决定器件的基本参数。微电子器件种类繁多，引脚数量和待测参数各不相面议2025-02-27 -
基于数字源表的高校微电子教学实验平台
基于数字源表的高校微电子教学实验平台特色： 1、外观简洁紧凑集成度高 2、通用开放型仪表平台 以数字源表(SMU)为核心，覆盖所有材料器件的直流特性测试；示波器、信号源、数字电桥等通用仪表完成动态参数测试实验。 3、模块化设计实验夹具盒 4、引入集面议2025-02-27 -
功率mos管电性能分析IV测试大电流源表
P系列功率mos管电性能分析IV测试大电流源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适面议2025-02-27 -
led漏电流测试高精度源表
LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。其电压-电流之间的关系称为I-V特性。通过对LED电特性的测试，可以获得对应正向电压（Vf）、反向电压（Vr）及漏电流（Ir）等参数，以及相应的I-V曲线。常用的测试方法一般为在LED器件的两端，加电压测试电流，或者加电流测试电压面议2025-02-27 -
双极性电源数字源表直流3A精密源表
双极性电源数字源表直流3A精密源表优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖3pA-3A的电流范围100μV-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量面议2025-02-27 -
GaN HEMT器件特性测试仪
GaN HEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。GaN HEMT器件特性测试仪就找普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六； 基于普赛斯S/CS系列源表的直流l-V特性测试系统 基于普赛斯Р系列脉冲源表/CP系列恒压面议2025-02-27 -
高电压大电流igbt静态参数测试系统
为应对各行各业对IGBT的测试需求，武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的IGBT静态参数测试系统，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁面议2025-02-27 -
KV级高压电源3500V高压程控电源
E系列KV级高压电源3500V高压程控电源特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试； 应用领域： 用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充面议2025-02-27 -
PL202型脉冲式直流电源
PL202型脉冲式直流电源特点和优势： 超窄至1us的脉冲； 大到30A的脉冲电流； 最大300A/us上升速度； 兼容CW和QCW模式； 丰富的软件接口； PL202型脉冲式直流电源应用 医疗、美容激光器，典型波长为808nm等 光纤、固体激光器的泵浦源，典型波长为53面议2025-02-27 -
半导体器件IV+CV测试仪
半导体器件IV+CV测试仪认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案，详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势：面议2025-02-27 -
led&二极管反向漏电流测试设备
led&二极管反向漏电流测试设备测试项目 集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat 集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges 栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th) 输入电容、输出电容、反向传输电容 续流二极管压降面议2025-02-27 -
二极管&led反向击穿电压测试设备
二极管&led反向击穿电压测试设备具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。详询一八一四零六六三四七六； 二极管&面议2025-02-27 -
硅基and碳化硅特性曲线测试设备
硅基and碳化硅特性曲线测试设备优势 高电压、大电流 具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV) 具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联) 高精度测量 nA级漏电流, μΩ级导通电阻 0.1%精度测量 模块化配置面议2025-02-27 -
大电流脉冲源表100A直流源表
HCP系列大电流脉冲源表100A直流源表具备直流和脉冲输出能力，最大脉冲输出电流100A，最大输出电压100V，支持四象限工作，输出及测量精度均可达0.1%，可广泛用于功率MOS测试、肖特二极管测试、整流桥堆测试及太阳能电池模组测试等。详询一八一四零六六三四七六； 应用面议2025-02-27 -
uApA级国产电流源
uApA级国产电流源认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案；详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势： 1、面议2025-02-27 -
国产S系列数字源表有哪些优势
国产S系列数字源表有哪些优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖3pA-3A的电流范围100μV-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量，更准确的面议2025-02-27 -
宽禁带材料电性能分析数字源表
宽禁带材料电性能分析数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400、2450、2611、2601B、2面议2025-02-27 -
宽禁带器件测试高电压大电流源
GaN HEMT器件性能的评估，一般包含静态参数测试（I-V测试）、频率特性（小信号S参数测试）、功率特性（Load-Pull测试）。静态参数，也被称作直流参数，是用来评估半导体器件性能的基础测试，也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs（th）为例，其值的大小对研发人员设计器面议2025-02-27 -
半导体激光器参数测试设备激光器老化测试系统
普赛斯半导体激光器参数测试设备激光器老化测试系统是专为解决千瓦级大功率半导体激光器芯片及泵浦激光器模块需要使用窄脉冲大电流测试和老化、芯片发热严重等问题而创新开发推出的一套通用性好、大功率、循环水冷的老化测试系统。产品具有大电流窄脉冲恒流特性好、电流稳定面议2025-02-27 -
光电器件特性参数分析数字源表
光电探测器一般需要先对晶圆进行测试,封装后再对器件进行二次测试,完成Z终的特性分析和分拣操作;光电探测器在工作时,需要施加反向偏置电压来拉开光注入产生的电子空穴对,从而完成光生载流子过程,因此光电探测器通常在反向状态工作;测试时比较关注暗电流、反向击穿电压、结电面议2025-02-27 -
光电二极管性能测试精密源表
光电探测器光电测试 光电探测器一般需要先对晶圆进行测试,封装后再对器件进行二次测试,完成Z终的特性分析和分拣操作;光电探测器在工作时,需要施加反向偏置电压来拉开光注入产生的电子空穴对,从而完成光生载流子过程,因此光电探测器通常在反向状态工作;测试时比较关面议2025-02-27 -
半导体器件测试仪IV曲线仪
半导体器件测试仪IV曲线仪认准普赛斯仪表，详询18140663476；普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案 S型数字源表应用优势： 1、多功能面议2025-02-27
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