江汉仪器/仪表信息
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功率mos测试脉冲源表30A数字源表
PXOOB系列功率mos测试脉冲源表30A数字源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源面议2024-12-16 -
大电流脉冲源表100A直流源表
HCP系列大电流脉冲源表100A直流源表具备直流和脉冲输出能力，最大脉冲输出电流100A，最大输出电压100V，支持四象限工作，输出及测量精度均可达0.1%，可广泛用于功率MOS测试、肖特二极管测试、整流桥堆测试及太阳能电池模组测试等。详询一八一四零六六三四七六； 应用面议2024-12-16 -
led&二极管反向漏电流测试设备
led&二极管反向漏电流测试设备测试项目 集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat 集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges 栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th) 输入电容、输出电容、反向传输电容 续流二极管压降面议2024-12-16 -
宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪
宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可达0.03%精度； 内置标准器件测试程序，直接调用测试简便； 自动实时参数提取，数据绘图、分析函数； 在CV和IV测量之间快速切换而无需重面议2024-12-16 -
半导体器件IV+CV测试仪
半导体器件IV+CV测试仪认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案，详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势：面议2024-12-16 -
SMU电流模块
SMU电流模块认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案;详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势： 1、多功能面议2024-12-16 -
半导体分立器件测试设备参数分析源表
半导体分立器件泛指二极管、三极管等具有单一功能的半导体元器件，用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等电路中，是构成电力电子变化装置的核心器件之一，在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动化控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广面议2024-12-16 -
对标2657国产大电压数字源表HVP型
对标2657国产大电压数字源表HVP型是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲电压达3000V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。大电压源表适用于各行各业使用者，特别适合面议2024-12-16 -
半导体芯片测试设备IV曲线扫描仪器
众所周知，半导体芯片测试设备IV曲线扫描仪器应用的专业领域十分广泛，分别有：微电子、集成电路、物理与电子工程、航空航天、材料科学与工程、材料与能源、电子科学与工程、光电信息与能源工程等等等... 数字源表作为电学测量的常用仪器，在高校和研究所的相关实验室内几面议2024-12-16
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IC电气特性测试数字源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%江汉面议2024-12-17 -
电流脉冲电源1μs窄脉宽
PL系列窄脉冲LV测试系统是为大功率激光器LV测试而研制的，大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重，而激光器特性受温度影响非常大，直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。 PL系列产品具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激江汉面议2024-12-16 -
数字源表用于光伏测试系统
武汉普赛斯推出的精密型数字源表（SMU）是对太阳能电池和各种其他器件的I-V特性进行表征的蕞佳解决方案。其宽广的电流和电压测量范围，可以为科研及生产制造提供着越的测量性能。结合太阳光模拟器以及砖用的上位机软件，支持自动扫描I-V特性曲线以及开路电压、短路电流、蕞江汉面议2024-12-16 -
wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪
SPA-6100wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材江汉面议2024-12-16 -
半导体分立器件电性能iv测试系统
半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占江汉面议2024-12-16 -
IC芯片电特性测试数字源表
IC芯片电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400、2450、2611、2601B、2651江汉面议2024-12-16 -
igbt静态性能测试设备
普赛斯igbt静态性能测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476 测试项目 集江汉面议2024-12-16 -
晶圆/芯片微弱电流测试VI源表
武汉普赛斯仪表晶圆/芯片微弱电流测试VI源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作S系列源表 应用 分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、江汉面议2024-12-16 -
GaN SiC三代半功率器件测试设备
PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽江汉面议2024-12-16 -
柔性传感器电性能测试VI源表
普赛斯仪表携手业内知名厂商共同打造的柔性电子材料测试系统,通过组合不同动作的测试夹具,可以模拟扭、转、弯、折、卷等5种基本测试动作, 11个基础模拟测试动作,实现一机多用,让柔性测试标准化。不仅可以测试柔性材料的折、弯、扭、拉、卷等五种基本动作,而且可以进行柔性材江汉面议2024-12-16 -
IGBT|SiC功率半导体器件测试设备
PMST系列IGBT|SiC功率半导体器件测试设备是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGB江汉面议2024-12-16
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