GaN SiC三代半功率器件测试设备

PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试，并具有优秀的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。GaN SiC三代半功率器件测试设备就找普赛斯仪表，详询

产品特点
具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(蕞大可扩展至10kV)


具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)


高精度测量


nA级漏电流, μΩ级导通电阻


0.1%精度测量


模块化配置


可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元


测试效率高


内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元


支持国标全指标的一键测试


扩展性好


支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具