TDKEPCOS薄膜电容, MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656T1224K000

TDKEPCOS薄膜电容, MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656T1224K000

聚酯薄膜与聚丙烯薄膜电容的区别
聚酯薄膜电容又称为CL电容，聚丙烯薄膜电容又称为CBB电容，两种单从型号上是很
好区分的。一般聚酯膜电容都是以CL开头，而聚丙烯膜电容以CBB开头。两者都具有自
愈性与无感特性。

两者的主要区别如下：

1. 在高频条件下，CBB电容的稳定性高于CL电容。

2. 在相同的温变条件下，CBB电容容量随着温度变化的范围比CL电容小。

3. CBB电容的损耗比CL电容小，在频率为1kHz的条件下，一般CBB电容损耗角正切值
tanδ为小于0.001，而CL电容的tanδ为小于0.01。

4. CBB电容与CL电容的绝缘性能都特别好，优于其他电容器，而CBB电容的绝缘性能则
比CL电容更佳，比如在容量小于0.33uF时，CBB电容的绝缘电阻大于25000MΩ，而CL
电容则为大于7500 MΩ。

5. 与CBB电容相比，CL电容唯一的优势在于体积小，相同电压，相同容量的情况下，
CL电容的体积可以做得比CBB电容小，这对于一些安装有空间限制的客户还是很受用
的。

由于CBB电容性能更佳，但是价格更贵，因此目前市场上有许多用CL电容冒充CBB
电容，光用目测很难发现二者的不同，推荐以下两种方法供大家参考：

1. 测损耗值，若是小于0.001则为CBB电容，反之则为CL电容。

2. 用手掌型数字电容表和电吹风来进行试验，先把电容器放在电容表上测出冷态电容值，
然后用吹风加热电容器，再测电容值，若电容值变化过大，则为CL电容，反之为CBB电容。

TDK 薄膜电容器:额定电压更高的坚固耐用型Y2电容器
TDK公司推出一系列应用于EMI抑制的新型爱普科斯 (EPCOS) MKP（金属化聚丙烯）Y2薄膜电容器——B3203*系列电容器。与额定电压为300 V AC的传统型号相比，新型电容器的额定工作电压高达350VAC，电容值范围为4.7nF至1.2μF，可在严苛环境条件下确保稳定的电容值。新型电容器均通过IEC 60384-14:2013/AMD1:2016认证，并按照“高湿度条件下III 级耐久性测试B”分类。这些电容器在温度为85℃，相对湿度为85％，工作电压为350V AC的环境条件下进行了温度、湿度、偏置电压 (THB) 测试，结果表明其电容量下降量不超过10％。新型电容器的最高工作温度为110℃。

新型电容器获得UL和EN认证，且符合AEC-Q200标准。不同型号的电容器的引脚间距会有不同，分别为15mm (B32032*)、22.5mm (B32033*)、27.5mm (B32034*)或37.5mm (B32036*)，具体视电容值而定。电容器的外壳和环氧树脂密封的阻燃等级符合UL94 V-0标准的要求。

新型Y2电容器可用于频繁遭受恶劣环境影响和额定电压要求更高的滤波器（如光伏逆变器或车载滤波器），用于抑制电磁干扰。

主要应用

恶劣环境条件下（如光伏逆变器或车载滤波器）的电磁干扰抑制应用

主要特点和效益

额定电压增大至350VAC
宽泛的电容值范围：4.7nF到1.2μF
通过UL和EN认证

TDK成功开发高Q特性的薄膜电容器

TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时 TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。

该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时实现了面向智能手机等高性能移动设备和高频模块产品的高特性与小型超薄化。尤其值得一提的是，凭借薄膜工法实现了优良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通过薄膜材料和最佳形状设计，与以往产品相比达到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高达6.8GHz(2.2pF)。通过这些特性，该本产品可在阻抗匹配电路中发挥优良的高频特性，因此命名为“Z-match”。