佳木斯仪器/仪表

全佳木斯仪器/仪表信息

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  • 氧气浓度探头大传感器

    氧气浓度探头大传感器

    随着我国日益增长的汽车需求,我国汽车产业得到了迅速的发展。在市场不断扩大的同时,广大车主和汽车生产厂商对各个汽车零部件的技术、安全性能要求也不断提高。轮胎因其支承车身,缓冲外界冲击,实现与路面接触并保证车辆行驶性能的特殊性,以及轮胎常在复杂和苛刻的条件下
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    2024-04-05
  • PR9268/301-100振动传感器,替您省钱

    PR9268/301-100振动传感器,替您省钱

    EPRO位移传感器||PR6424/000-030||+前置器||CON021|| (含两者间导线10米) EPRO振动传感器|PR6423/003-030-CN||+前置器||CON021||(含两者间导线10米) EPRO轴振传感器|PR6423/004-010||+前置器||CON021||(含两者间导线10米 EPRO振动传感器|PR6423/01R-010-CN||+前置器||C
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    2023-02-17
  • 常州专业销售爱斯ACE干热灭菌生物指示剂,干热灭菌指示剂

    常州专业销售爱斯ACE干热灭菌生物指示剂,干热灭菌指示剂

    干热灭菌生物指示剂:用于测定干热灭菌器对细菌芽孢的杀灭能力,以验证其灭菌性能是否符合原设计规定及干热灭菌效果的生物监测。干热灭菌生物指示剂H6302K由枯草杆菌黑色变种芽孢(ATCC9372)菌片(载体为玻璃纤维,耐高温)密封在玻璃管内的生物指示剂。保存 请在温度 2-25℃、
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    2022-04-12
  • 爱斯ACE干热灭菌指示剂,贵阳干热灭菌生物指示剂

    爱斯ACE干热灭菌指示剂,贵阳干热灭菌生物指示剂

    干热灭菌生物指示剂菌种采用 USP(美国药典)和 ISO-11138(国际标准化组织)指定的 Bacillus atrophaeus ATCC 9372。干热灭菌生物指示剂H6302K由菌体芽孢(安瓿)和酚红培养液指示管二部份装配成组合型产品。如果灭菌处理完全,芽孢全部死灭,培养液颜色保持红色不变。干热
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    2022-04-10
  • 鄂尔多斯供应GT涡轮震动器厂家批发

    鄂尔多斯供应GT涡轮震动器厂家批发

    其内有偏心涡轮在轨道上高速回转而产生大功率的离心力。壳体由-挤压成形烤漆铝件与硬处理的底板构成。偏心涡轮由二个高功率,预润滑的匹配有护圈轴承支持。采用轴承的内座圈与外座圈的设计,只需利用-销子扳手就很容易更换轴承、利用左旋与右旋螺纹固定的底板系自动锁定。另
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    2022-02-26
  • 当前城市信息不足,为您推荐其它城市【仪器/仪表】信息
  • IC电气特性测试数字源表

    IC电气特性测试数字源表

    普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%
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    2024-12-17
  • 电流脉冲电源1μs窄脉宽

    电流脉冲电源1μs窄脉宽

    PL系列窄脉冲LV测试系统是为大功率激光器LV测试而研制的,大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重,而激光器特性受温度影响非常大,直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。 PL系列产品具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激
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    2024-12-16
  • 数字源表用于光伏测试系统

    数字源表用于光伏测试系统

    武汉普赛斯推出的精密型数字源表(SMU)是对太阳能电池和各种其他器件的I-V特性进行表征的蕞佳解决方案。其宽广的电流和电压测量范围,可以为科研及生产制造提供着越的测量性能。结合太阳光模拟器以及砖用的上位机软件,支持自动扫描I-V特性曲线以及开路电压、短路电流、蕞
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    2024-12-16
  • wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪

    wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪

    SPA-6100wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材
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    2024-12-16
  • 晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪

    晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪

    晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪优势: IV、CV一键测;一体机,支持远程指令控制;支持三同轴接探针台 能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试;详询一八一四零六六三四七六; 产品特点: 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力; 测量精度高,全量程下可
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    2024-12-16
  • 半导体分立器件电性能iv测试系统

    半导体分立器件电性能iv测试系统

    半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析,过程既复杂又耗时,还占
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    2024-12-16
  • IC芯片电特性测试数字源表

    IC芯片电特性测试数字源表

    IC芯片电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家,产品已经历3年迭代完善,对标2400、2450、2611、2601B、2651
    佳木斯
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    2024-12-16
  • igbt静态性能测试设备

    igbt静态性能测试设备

    普赛斯igbt静态性能测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476 测试项目 集
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    2024-12-16
  • 晶圆/芯片微弱电流测试VI源表

    晶圆/芯片微弱电流测试VI源表

    武汉普赛斯仪表晶圆/芯片微弱电流测试VI源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作S系列源表 应用 分立器件特性测试:电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、
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    2024-12-16
  • GaN SiC三代半功率器件测试设备

    GaN SiC三代半功率器件测试设备

    PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽
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    2024-12-16
  • 柔性传感器电性能测试VI源表

    柔性传感器电性能测试VI源表

    普赛斯仪表携手业内知名厂商共同打造的柔性电子材料测试系统,通过组合不同动作的测试夹具,可以模拟扭、转、弯、折、卷等5种基本测试动作, 11个基础模拟测试动作,实现一机多用,让柔性测试标准化。不仅可以测试柔性材料的折、弯、扭、拉、卷等五种基本动作,而且可以进行柔性材
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    2024-12-16
  • 脉冲IV特性测试数字源表

    脉冲IV特性测试数字源表

    PXOOB系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达30A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者
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    2024-12-16
  • 直流特性IV曲线SMU数字源表

    直流特性IV曲线SMU数字源表

    普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%
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    2024-12-16
  • 功率半导体测试电源高压程控电源

    功率半导体测试电源高压程控电源

    功率半导体测试电源高压程控电源具有输出及测量电压高(3500V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3500V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。详询18140663476最大输出功率:350W,3500
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    2024-12-16
  • IGBT|SiC功率半导体器件测试设备

    IGBT|SiC功率半导体器件测试设备

    PMST系列IGBT|SiC功率半导体器件测试设备是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGB
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    2024-12-16
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