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  • 苏州爱斯ACE干热灭菌生物指示剂

    苏州爱斯ACE干热灭菌生物指示剂

    干热灭菌生物指示剂H6302K由枯草杆菌黑色变种芽孢(ATCC9372)菌片(载体为玻璃纤维,耐高温)密封在玻璃管内的生物指示剂。保存 请在温度 2-25℃、相对湿度20-80%RH条件下避光保存。生物指示剂应避免靠近灭菌器和化学消毒剂。注意点 使用前确认产品是否完整,是否在有效期内,
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    2022-04-16
  • 湛江专业销售干热灭菌生物指示剂H6302K

    湛江专业销售干热灭菌生物指示剂H6302K

    干热灭菌生物指示剂菌种采用 USP(美国药典)和 ISO-11138(国际标准化组织)指定的 Bacillus atrophaeus ATCC 9372。保存 请在温度 2-25℃、相对湿度20-80%RH条件下避光保存。生物指示剂应避免靠近灭菌器和化学消毒剂。干热是指相对湿度在20%以下的高热。干热消毒灭菌是由
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    2022-04-13
  • 杭州爱斯ACE干热灭菌生物指示剂,干热灭菌指示剂

    杭州爱斯ACE干热灭菌生物指示剂,干热灭菌指示剂

    干热灭菌生物指示剂:用于测定干热灭菌器对细菌芽孢的杀灭能力,以验证其灭菌性能是否符合原设计规定及干热灭菌效果的生物监测。剂。菌片含菌量为1×106~5×106cfu/片。D值为1.3~1.9分钟。在温度为160℃±2℃的条件下,存活时间≥3.9分钟,杀灭时间≤19分钟。如果灭菌处理不完全
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    2022-04-11
  • 爱斯ACE干热灭菌指示剂,宁波专业销售干热灭菌生物指示剂报价

    爱斯ACE干热灭菌指示剂,宁波专业销售干热灭菌生物指示剂报价

    剂。菌片含菌量为1×106~5×106cfu/片。D值为1.3~1.9分钟。在温度为160℃±2℃的条件下,存活时间≥3.9分钟,杀灭时间≤19分钟。使用方法 1.将菌片放入干热灭菌器或者干热灭菌设备内与被灭菌物品同时进行灭菌。(灭菌温度:160-350℃) 2.灭菌完成后,须在无菌环境下,将菌片放入
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    2022-04-08
  • 美国3M环氧乙烷灭菌生物指示剂1264S报价

    美国3M环氧乙烷灭菌生物指示剂1264S报价

    监测频率:3M Attest生物指示剂应放置在适当的测试盘或包装内,以便监测每一个负载。此方法对灭菌过程来说是一个挑战,它提高了灭菌过程的成效。产品名称: 3MTM 环氧乙烷灭菌生物培养指示剂 产品型号: 1264S 执行标准:质量标准 用途:用于环氧乙烷灭菌锅的生物监测;处理:
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    2022-04-06
  • 汕头EZS/6生物指示剂

    汕头EZS/6生物指示剂

    使用一只指示剂作为阳性对照,放置一只未破碎的,未灭菌的生物指示剂在培养箱中作为日常控制。 如果阳性对照没有菌生长,就不要使用此盒生物指示剂。一旦发生阳性试验(变为黄色)第一时间应记录下来。通知医院人员(例如疾病控制中心)。 建议的培养时间是24 小时(符合 US
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    2022-04-04
  • 长春爱斯汽化过氧化氢灭菌生物指示剂H3726T

    长春爱斯汽化过氧化氢灭菌生物指示剂H3726T

    品名:汽化过氧化氢灭菌生物指示剂 型号:H3726T 芽孢数∶1.5×106以上 菌种:Geobacillus stearothermophilus NBRC12550 (ATCC 12980)保存方法: 请在2~25°C避光保管。(培养基请在2~10°C保管。)如冷藏保存的话,请在产品温度回到室温后再使用。VHP灭菌技术用于空间的消
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    2022-04-03
  • 沧州供应GT涡轮震动器 坚固耐用

    沧州供应GT涡轮震动器 坚固耐用

    其内有偏心涡轮在轨道上高速回转而产生大功率的离心力。壳体由-挤压成形烤漆铝件与硬处理的底板构成。偏心涡轮由二个高功率,预润滑的匹配有护圈轴承支持。采用轴承的内座圈与外座圈的设计,只需利用-销子扳手就很容易更换轴承、利用左旋与右旋螺纹固定的底板系自动锁定。另
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    2022-03-18
  • 3MATTEST压力蒸汽灭菌生物指示剂报价,3M高压灭菌生物指示剂

    3MATTEST压力蒸汽灭菌生物指示剂报价,3M高压灭菌生物指示剂

    使用范围: 3M压力蒸汽灭菌生物培养指示剂用于121℃下排气压力蒸汽和132℃预真空压力蒸汽灭菌效果监测(包括下排气锅和预真空锅);通过培养基颜色变化,反应嗜热脂肪杆菌芽孢是否存活,从而判断压力蒸汽灭菌生物监测结果。高压蒸汽灭菌,用高温加高压灭菌,不仅可杀死一般的细菌
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    2022-01-28
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  • 电流脉冲电源1μs窄脉宽

    电流脉冲电源1μs窄脉宽

    PL系列窄脉冲LV测试系统是为大功率激光器LV测试而研制的,大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重,而激光器特性受温度影响非常大,直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。 PL系列产品具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激
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    2025-01-13
  • 数字源表用于光伏测试系统

    数字源表用于光伏测试系统

    武汉普赛斯推出的精密型数字源表(SMU)是对太阳能电池和各种其他器件的I-V特性进行表征的蕞佳解决方案。其宽广的电流和电压测量范围,可以为科研及生产制造提供着越的测量性能。结合太阳光模拟器以及砖用的上位机软件,支持自动扫描I-V特性曲线以及开路电压、短路电流、蕞
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    2025-01-13
  • wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪

    wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪

    SPA-6100wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材
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    2025-01-13
  • IC电气特性测试数字源表

    IC电气特性测试数字源表

    普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%
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    2025-01-13
  • 半导体分立器件电性能iv测试系统

    半导体分立器件电性能iv测试系统

    半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析,过程既复杂又耗时,还占
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    2025-01-13
  • IC芯片电特性测试数字源表

    IC芯片电特性测试数字源表

    IC芯片电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家,产品已经历3年迭代完善,对标2400、2450、2611、2601B、2651
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    2025-01-13
  • igbt静态性能测试设备

    igbt静态性能测试设备

    普赛斯igbt静态性能测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476 测试项目 集
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    2025-01-13
  • 晶圆/芯片微弱电流测试VI源表

    晶圆/芯片微弱电流测试VI源表

    武汉普赛斯仪表晶圆/芯片微弱电流测试VI源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作S系列源表 应用 分立器件特性测试:电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、
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    2025-01-13
  • GaN SiC三代半功率器件测试设备

    GaN SiC三代半功率器件测试设备

    PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽
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    2025-01-13
  • 柔性传感器电性能测试VI源表

    柔性传感器电性能测试VI源表

    普赛斯仪表携手业内知名厂商共同打造的柔性电子材料测试系统,通过组合不同动作的测试夹具,可以模拟扭、转、弯、折、卷等5种基本测试动作, 11个基础模拟测试动作,实现一机多用,让柔性测试标准化。不仅可以测试柔性材料的折、弯、扭、拉、卷等五种基本动作,而且可以进行柔性材
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    2025-01-13
  • IGBT|SiC功率半导体器件测试设备

    IGBT|SiC功率半导体器件测试设备

    PMST系列IGBT|SiC功率半导体器件测试设备是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGB
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    2025-01-13
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